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KCP2920A场效应管采用SGT MOSFET工艺,??漏源击穿电压200V,漏极电流130A;新型沟槽技术,低导通电阻RDS(开启) 9.0mΩ(典型值)@VGS=10V,低栅极电荷,最小化开关损耗、?提高效率;快速恢复体二极管,?开关特性好、反向恢复时间短,稳定可靠,广泛应用于高...
www.kiaic.com/article/detail/5639.html 2025-04-27
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通过改变MOS管的开断,可以改变输出电流的方向,合理运用输入输出端口,既可以实现降压功能,也可以实现升压功能。它由两个MOS管和两个二极管组成。
www.kiaic.com/article/detail/5638.html 2025-04-27
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逆变器:通过控制开关器件(如IGBT、MOSFET)的通断,生成脉宽调制(PWM)波形,合成所需频率和幅值的交流电。其电路复杂度通常高于整流器。
www.kiaic.com/article/detail/5637.html 2025-04-27
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bms专用mos管?KND2904A漏源击穿电压40V,漏极电流130A,极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ(典型值)@VGS=10V,减小损耗、提高效率;低跨导、快速切换,高效低耗;100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力,稳定可靠,广泛用于PWM应用、负载开关、电源管理等领域,封装形...
www.kiaic.com/article/detail/5636.html 2025-04-25
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为了确保无闩锁操作,电路会自动感测器件中的最负电压,并确保N沟道开关源极-基板结不存在正向偏置。振荡器频率的标称频率为10kHz(VCC=5V),但可以通过向振荡器(OSC)端子添加外部电容器来降低该频率,或者通过使用外部时钟过驱动OSC来提高该频率。
www.kiaic.com/article/detail/5635.html 2025-04-25
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为了实现两个电流方向的阻断,必须将两个MOSFET以相反的极性串联。如图,在这种情况下,如果不是两个FET都打开,那么其中总有一个体二极管可以阻断对向的电流。这种方法允许创建两种反向驱动保护负载开关的替代拓扑,背靠背连接漏极或源极,称为共漏极或共源极...
www.kiaic.com/article/detail/5634.html 2025-04-25
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KNP1906A场效应管漏源击穿电压60V,漏极电流230A,极低导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ,最大限度地减少导电损耗,提高效率;具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快、高雪崩电流,性能稳定可靠、环保无铅;广泛应用于UPS、电源、电池管理系统等;封装形式:TO-220。
www.kiaic.com/article/detail/5633.html 2025-04-24
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如图所示,负载接在电源与漏极之间。在其栅极上加一个逻辑高电平,则N-MOSFET导通,负载得电;在其栅极加一个逻辑低电平,则N-MOSFET关断,负载失电。
www.kiaic.com/article/detail/5632.html 2025-04-24
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当开关S1闭合时,继电器的线圈通电,电源+V经过电感L1,向N1 N2(变压器)的中抽头进行供电,此外,电流还会C1和R2(电阻)流向N3、N4的中抽头。
www.kiaic.com/article/detail/5631.html 2025-04-24
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KNB2904A场效应管参数性能优越,具有优异的RDSON和栅极电荷;漏源击穿电压40V,漏极电流130A,极低导通电阻RDS(开启) 2.5mΩ(典型值)@VGS=10V,减小损耗、提高效率;低跨导、快速切换,高效低耗;100%雪崩测试以及改进的dv/dt能力,稳定可靠,适用于PWM应用、...
www.kiaic.com/article/detail/5630.html 2025-04-23
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接通电源后,220V市电电压经VD503~VD506整流、C507滤波,在滤波电容C507两端得到近300V直流电压,通过开关变压器T511的3-7绕组加到开关管VT513的集电极。
www.kiaic.com/article/detail/5629.html 2025-04-23
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通过级联多个放大器,每个放大器的增益都比前一个放大器大,从而实现对输入信号的放大。每个放大器的输出信号经过滤波和校正后,再输入到下一个放大器进行放大。最后,经过输出级的放大,信号达到所需的输出幅度。
www.kiaic.com/article/detail/5628.html 2025-04-23
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场效应管是一种电压控制型器件,通过栅源电压(VGS)来控制漏极电流(ID),具有高输入阻抗、低输出阻抗、快速开关速度和大电压/电流能力等特点。
www.kiaic.com/article/detail/5521.html 2025-04-22
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许多MOS管在管壳表面上有标记或标识,标明了各个电极的名称;在电路图中,MOS管的电极通常会用特定的符号表示,G极通常用一个圆圈表示,S极用一个小圆圈表示,D极则用一个小圆点表示;
www.kiaic.com/article/detail/5523.html 2025-04-22